IGBT不香了！意法半导体推出第三代碳化硅功率器件

碳化硅（Sic）功率器件的耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势可满足新能源行业的发展需求，直击电动车的“里程焦虑”与“充电焦虑”两大痛点，也被誉为替代IGBT的最佳人选。

日前，意法半导体中国宣布，正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶体管，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。

随着电动汽车市场加速发展，许多整车厂商和配套供应商都在采用 800V驱动系统，以加快充电速度，帮助减轻电动汽车重量，新的800V系统能够帮助整车制造商生产行驶里程更长的汽车。

官方表示，新一代产品还适合工业应用，可提高驱动电机、可再生能源转换器和储能系统、电信电源、数据中心电源等应用的能效。

意法半导体目前已完成第三代SiC技术平台相关标准认证，从该技术平台衍生的大部分产品预计在2021年底前达到商用成熟度。标称电压650V、750V至1200V的器件将上市，为设计人员研发从市电取电，到电动汽车高压电池和充电机供电的各种应用提供更多选择。首批上市产品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的SCT160N75G3D8AG。