IT之家 6 月 14 日消息 美光控告中国台湾晶圆代工巨头联电帮中国晋华窃取 DRAM 制程案，12 日台中地院做出判决，联电 3 名主管最高遭判刑 6 年半，联电也被判罚 1 亿元。

台媒《科技新报》报道，台中法院 6 月 12 日就全球前 4 大晶圆代工厂之一的台湾联电被控，协助中国福建晋华以窃取美商科技大厂美光（Micron）动态随机存取记忆体（DRAM）生产技术一案作出判决，涉案的戎乐天、何建廷、王永铭等 3 人被处以 4 年半到 6 年半的徒刑。

曾经任职台湾美光总经理与联电副总的中国福建晋华总经理陈正坤，检方以另案进行调查，而联电被处以新台币 1 亿元的罚款。

IT之家了解到，案件起源于 2016 年，当时联电与中国福建晋华集成电路公司签署技术合作协定，协助中国福建晋华开发 32 纳米 DRAM 相关制程技术。之后，中国台湾美光的 3 名高阶主管随即转任联电，引发商业间谍案疑云，最终导致美光、联电与中国福建晋华之间在美国、中国台湾以及中国大陆 3 地的司法控诉。

目前，除了台湾方面已起诉相关人等，美光同样于美国提告，并在 2018 年 11 月 1 日正式起诉中国福建晋华、联电以及陈正坤、何建廷、王永铭共谋窃取、传输，以及持有美光的营业秘密和经济间谍罪。一旦相关罪名成立，包括陈正坤等被起诉人将面临经济间谍罪最重 15 年徒刑以及 500 万美元罚款。另外，此案还涉及窃取营业秘密罪，涉案人面临最重 10 年的徒刑。

值得注意的是，联电和中国福建晋华一旦在美国被控罪名成立，可能面临最高 200 亿美元的罚款。

联电对此表示，并未违反营业秘密法，将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。