1：单选题 
下列几种存储器中，（）是易失性存储器。

A： Cache

B： EPROM

C： Flash Memory

D： CD-ROM

2：单选题 
以下哪种存储器是目前已被淘汰的存储器（）。

A： 半导体存储器

B： 磁表面存储器

C： 磁芯存储器

D： 光盘存储器

3：单选题 
在存储器分层结构中，存储器从容量最大到最小的排列顺序是（）。

A： 寄存器—-主存—-Cache—-辅存

B： 主存—-辅存—-Cache—-寄存器

C： 辅存—-主存—-Cache—-寄存器

D： Cache—-辅存—-寄存器—-主存

4：单选题 
在存储器分层体系结构中，存储器从速度最快到最慢的排列顺序是（）。

A： 寄存器—-主存—-Cache—-辅存

B： 寄存器—-主存—-辅存—-Cache

C： 寄存器—-Cache—-辅存—-主存

D： 寄存器—-Cache—-主存—-辅存

5：单选题 
以下有关系统主存的叙述中，错误的是（）。

A： RAM是可读可写存储器，ROM是只读存储器

B： ROM和RAM的访问方式相同，都采用随机访问方式进行读写

C： 系统的主存由RAM和ROM组成

D： 系统的主存都是用DRAM芯片实现的

6：单选题 
EPROM是指（ ）。

A： 读写存储器

B： 掩膜只读存储器

C： 可编程的只读存储器

D： 可擦除可编程的只读存储器

7：单选题 
多模块交叉存储器所以能以较高带宽进行读/写，是因为采用了（ ）。

A： 高速芯片技术

B： 新型存储器件

C： 流水技术

D： 相互独立的存储模块和读写电路

8：单选题 ）
假定一台计算机的主存储器最大可装机容量为4GB，按字节编址，则该存储器的MAR应为（）。

A： 16位

B： 32位

C： 48位

D： 64位

9：单选题 
假定一个主存空间大小为1024MB，按字节编址，每次读写操作最多可以一次存取32位。不考虑其它因素，则存储器地址寄存器MAR，和存储器数据寄存器MDR的位数至少应分别为（）。

A： 30，8

B： 30，32

C： 28，8

D： 28，32

10：单选题 
用存储容量为16K×1位的存储器芯片来组成一个64K×8位的存储器，则在字方向和位方向上分别扩展了（）倍。

A： 4和2

B： 8和4

C： 2和4

D： 4和8

11：单选题 
相联存储器是按（）进行寻址的存储器。

A： 地址指定方式

B： 堆栈方式

C： 内容指定方式

D： 地址指定与堆栈

12：单选题 
以下4种类型的半导体存储器中，读出数据传输率最高的是（）。

A： DRAM

B： SRAM

C： Flash Memory

D： EPROM

13：单选题
一个动态存储器芯片的容量是16K×8位, 若采用地址复用技术，则该芯片需要的地址和数据引脚至少分别为（ ）。

A： 14，8

B： 7，8

C： 14，1

D： 7,1

14：单选题 
某SRAM芯片，其容量为1024×4位，其地址和数据引脚的数目至少分别为（）。

A： 10，4

B： 5，4

C： 10，8

D： 5，8

15：单选题 
某计算机字长16位，存储容量是64KB，按字节编址，则它的寻址范围是（）。

A： 0 ～(64K-1)

B： 0 ～(32K-1)

C： 0 ～(64KB-1)

D： 0 ～(32KB-1)

16：单选题 
计算机的主存储器容量为1GB，也就等于（）。

A： 2 的30次方个字节

B： 10 的30次方个字节

C： 2 的9次方个字节

D： 10 的9次方个字节

17：单选题 
以下有关存储器组织的叙述中，错误的是（）。

A： 存储单元由若干个存放或1的记忆元件构成

B： 一个存储单元有一个编号，就是存储单元的地址

C： 存储器编号总是从0开始

D： 同一个存储器中，每个存储单元的宽度可以不同，有8位、16位或32位不等，分别存放不同长度的数据和指令

18：单选题 
以下有关半导体存储器的叙述中，错误的是（ ）。

A： 半导体存储器都采用随机存取方式进行读写

B： ROM芯片属于半导体随机存储器芯片

C： SRAM是半导体静态随机访问存储器，可用作cache

D： DRAM是半导体动态随机访问存储器，可用作主存