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7 月 27 日消息，据 Tom’s hardware 报道，美光是第一家推出 24Gb DDR5 内存芯片的公司。现在，美光透露，准备在 2024 年量产 32Gb DDR5 芯片以及更大容量的内存模块。
据报道，去年，美光在其 1α (1-alpha) 工艺技术上打造了 24Gb 内存芯片。现在，32Gb DDR5 芯片将采用美光的 1β（1-beta）工艺制造，这是该公司最先进的生产节点。目前，美光尚未透露其 32Gb 设备的数据传输速率。
32Gb DDR5 DRAM IC 主要针对数据中心级内存模块，为 1TB DDR5 模块（使用 32 个 8-Hi 32Gb 堆叠）铺平了道路，但美光科技并没有急于求成，明年只会提供基于该芯片的 128GB DDR5 内存模块。未来，美光计划推出 192GB 和 256GB DDR5 模块。
美光的路线图还出现了 GDDR7 显存芯片，预计将在 2024 年中期批量生产，数据传输速率为 32 GT/s，颗粒容量可选 16Gb 和 24Gb。
据稍早前报道，美光现已宣布其 HBM3 Gen 2 内存正在向客户提供样品，其具有 1.2 TB / s 的聚合带宽，8 高堆叠容量为 24GB。
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