9 月 18 日消息,根据行业人士 @手机晶片达人 爆料,英伟达已经跟三星就 3nm GAA 工艺制程进行了接洽,如果一切顺利则预定在 2025 年进行量产。
Hardwaretimes 此前也曾有过报道,下一代英伟达旗舰显卡 RTX 5090 将使用 3nm 工艺,预计将在明年年底推出。
英伟达 RTX 40 系显卡代号为 Ada Lovelace,而下一代 RTX 显卡的代号为 Blackwell,其晶体管数量将超过 150 亿,密度接近 3 亿 / mm²,核心时钟将超过 3 Ghz,总线密度将达到 512 bits。
根据早前外媒 Club 386 泄露的消息,基于 GB102 的 RTX 5090 包含 144 组 SM 单元,也就是 18432 个 CUDA(假设每组 SM 还是 128 个 CUDA),比 RTX 4090 多出 12.5%,96MB 二级缓存,匹配 GDDR7 显存(384bit 位宽),支持 PCIe 5.0 x16。
曾报道,微星此前在台北 Computex 电脑展上也一并展示了下一代英伟达 RTX 旗舰显卡的散热设计。
由图可见,微星使用了动态双金属鳍片 (Dynamic Bimetallic Fin),六条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片,进一步增强散热,而显存区域也有对应的铜片,这说明不出意外的话下一代显卡将针对散热进行着重设计。
结合当下所曝光的信息,结合如此散热条件,RTX 5090 的原始功耗和发热应该会给人留下深刻的印象。
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