报告称我国在 8 英寸 SiC 装备、衬底、外延等领域已取得重大突破

10 月 31 日消息，根据集邦咨询近日发布的报告，业内人士称 2023 年为“8 英寸 SiC 元年”，Wolfspeed、意法半导体等全球功率半导体巨头都加快了 8 英寸 SiC 的研发步伐，而我国在 SiC 生产装备、衬底和外延等方面都取得了重大突破。

图源：山东天岳先进科技股份有限公司

集邦咨询表示，目前国内至少有 10 家企事业单位正在推进 8 英寸碳化硅（SiC）基板的开发，在此附上列表如下：

包括山西烁科晶体（Semisic）
晶盛机电（JSJ）
山东天岳先进科技（SICC）
广州南砂晶圆半导体技术（Summit Crystal）
河北同光（Synlight）
中国科学院物理研究所
山东大学
北京天科合达蓝光半导体（TankeBlue）
哈尔滨科友半导体（KY Semiconductor）
杭州乾晶半导体（IV-Semitec）。

作为第三代半导体材料，SiC 具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、优异的导热性能等优点。其在高温、高压和高频应用中的出色性能使其成为半导体材料领域的基石。

在下游需求增长的推动下，SiC 产业正处于高速扩张阶段。TrendForce 分析预测，2023 年 SiC 功率器件市场规模将达到 22.8 亿美元（备注：当前约 166.9 亿元人民币），年增长率高达 41.4%。到 2026 年，这一市场预计将进一步扩大，达到 53.3 亿美元（当前约 390.16 亿元人民币）。

电动汽车、5G 通信、光伏和内存存储等领域不断增长的需求目前正在推动碳化硅（SiC）行业的快速增长。中国的主要参与者正在加大研发力度，以克服技术挑战并获得可观的市场份额。

根据 TrendForce 的分析，目前 SiC 产业以 6 英寸基板为主，占据了高达 80% 的市场份额，而 8 英寸基板仅占 1%。向更大的 8 英寸晶圆过渡是进一步降低 SiC 器件成本的关键策略。随着 8 英寸晶圆的成熟，其定价预计将是 6 英寸晶圆的 1.5 倍左右，而管芯产量是 6 英寸 SiC 晶圆的约 1.8 倍，大大提高晶圆利用率。

从行业角度来看，SiC 器件的成本结构包括衬底、外延、流片和封装工艺，其中衬底占总生产成本的 45% 左右。

为了降低每个器件的成本，该策略围绕着扩大 SiC 衬底和增加每个衬底的芯片数量。值得注意的是，8 英寸 SiC 衬底比 6 英寸同类衬底具有明显的成本优势。

衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。

外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延）。

在此附上报告原文链接，感兴趣的用户可以点击深入阅读。