High-NA 光刻机最晚 2027 年进驻 ASML 在韩研发中心，三星 1nm 预计引入

2 月 7 日消息，ASML 韩国公司总裁 Lee Woo-kyung 近日在一次活动上透露，三星电子和 ASML 的合资研发中心最晚 2027 年引入 High-NA 光刻机。”

三星电子和荷兰 ASML 去年达成协议，共同投资 1 万亿韩元（约 54 亿人民币）在韩国建立联合研发中心。该设施将成为 ASML 和三星电子双方工程师使用 EUV 设备进行先进半导体研发合作的场所。

图源 ASML 官方

在回答有关该研发中心建设进度的问题时，Lee 表示：“我们在 ASML 位于韩国华城的园区附近新获得了一块场地，将于明年开始建设。我们计划在竣工时引进 High-NA 设备，预计最晚会在 2027 年完成。” 这是 ASML 韩国首次透露即将建设的研发中心的位置以及 High-NA EUV 设备的引进计划。

High-NA EUV 光刻机可用于实现亚 2nm 级工艺，引发了各家先进制程企业之间对机器产能的激烈竞争。据去年 12 月报道，英特尔已于去年底收到了 ASML 交付的首台机器。

三星电子已表示计划 2027 年实现 1.4nm 工艺量产。考虑时间上的关系，韩媒이데일리预计其将从 1nm 工艺开始导入 High-NA 光刻机。