5 月 9 日消息，韩媒 Sedaily 援引行业消息人士的话称，三星电子近日决定组建 1dnm DRAM 内存的技术开发团队。

目前 DRAM 内存行业的最新制程是 10+ nm 系列的第五代工艺，即 1bnm；

三大内存厂商 —— 三星电子、SK 海力士和美光的下一代 DRAM 工艺 1cnm 将于今年三季度至明年投入量产；

而 1dnm 工艺又在 1cnm 之后，预计量产时间晚于 2026 年。

三星电子在开发每代 DRAM 工艺时，一般直到接近量产时的 PA（注：Process Architecture，工艺架构）阶段才会组建包含半导体和工艺工程师的综合团队。

而在 1dnm 节点上，团队召集时间提早了 1~2 年，目前该团队的规模在数百人左右。

相较于目前的制程，1dnm 工艺将提升 EUV 光刻的用量，难度随之加大。三星电子提前组建 1dnm DRAM 技术开发团队旨在加速量产准备过程，缩短工艺优化周期。

自 2020 年来，三星电子难以在 DRAM 内存技术上维持领先：

1anm 节点上，美光率先量产；来到 1bnm，三家量产时间大致相当；而在即将到来的 1cnm 节点，SK 海力士有望取得领先。

而在产品端，由于此前解散 HBM 内存研发团队的错误决定，三星电子目前在 HBM3 (E) 内存的竞争中也处于落后地位。

三星电子希望通过提前加大在 1dnm DRAM 开发上的人力资源投入，止住目前的颓势，重新建立起内存技术优势，并通过 DRAM 的技术升级推动 HBM 业务发展。