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5 月 14 日消息，HBM 负责人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中声称当前业界 HBM 技术已经到了新的水平，行业需求促使 SK 海力士将加速开发过程，最早在 2026 年推出他们的 HBM4E 内存，相关内存带宽将是 HBM4 的 1.4 倍。
除了 HBM4E 外，据此前报道，有消息称 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。
HBM4 / HBM4E 的开发“加速过程”无疑显示了 AI 领域巨头对高性能内存的强劲需求，日益强大的 AI 处理器需要更高内存带宽的辅助。
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