5 月 14 日消息,据韩媒 Hankyung 报道,两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示,整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产

相较于通用 DRAM,HBM 内存坐拥更高单价,不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因,对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。

正是在这种“产能占用”的背景下,三星电子代表预计,不仅 HBM 内存,通用 DRAM(如标准 DDR5)的价格年内也不会下降

SK 海力士再次确认,根据截至今年底的生产能力,目前该企业已经完成了对 2025 年 HBM 内存产能的分配;

三星电子方面则称自身 HBM 订单情况和对手大致相同,也已售罄,并预估明年不会出现 HBM 内存供过于求的情况。

三星电子代表确认该公司 HBM4 内存计划于明年完成开发,2026 年实现量产,并表示三星电子计划在 HBM4 内存中开始应用混合键合。

稍早前的报道中提到,SK 海力士认为其在 HBM4 上就应用混合键合的可能性不大,持有同三星电子不一致的观点。

此外,两家企业均对企业级固态硬盘市场持乐观态度,三星电子方面的代表认为相关需求的增长将是长期趋势。