7 月 10 日消息，应用材料公司（Applied Materials, Inc.）于 7 月 8 日发布新闻稿，宣布推出芯片布线创新技术，通过业内首次在量产中使用钌，让铜芯片布线扩展到 2 纳米节点及更高水平，且电阻最高降幅达到 25%。

附上相关视频介绍如下：

接着，在阻障层涂上一层衬垫，确保在最终的铜回流沉积过程中的附着力，从而缓慢地用铜填充剩余的体积，然后不断迭代改进微缩、性能和功耗等等。

应用材料最新提出了增强版 Black Diamond，是现有 Black Diamond PECVD（等离子体增强化学气相沉积）系列的最新产品。

这种新材料降低了最小的 k 值，微缩推进至 2 纳米及以下，同时提供更高的机械结构强度，对将 3D 逻辑和存储器堆栈升级到新的高度的芯片制造商和系统公司至关重要。

应材最新的整合性材料解决方案 IMS（Integrated Materials Solution），在一个高真空系统中结合了六种不同的技术，包括业界首创的材料组合，让芯片制造商将铜布线微缩到 2 纳米及以下节点。

该解决方案采用是钌和钴（RuCo）的二元金属组合，将衬垫厚度减少 33% 至 2nm，为无空隙铜回流产生更好的表面特性，此外线路电阻最高降幅 25%，从而提高芯片性能和功耗。

采用 Volta Ruthenium CVD（化学气相沉积）技术的新型 Applied Endura Copper Barrier Seed IMS 已被所有领先的逻辑芯片制造商采用，并已开始向 3 纳米节点的客户发货。