7 月 31 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版本尚未获得量产许可，对平泽 P4 工厂的产线建设规划造成了影响。

三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产，对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。

然而直到现在，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（注：应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。

明星产品前景不明，使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。

根据三星电子此前的规划，平泽 P4 工厂将成为一个综合性的半导体生产中心，其包含四个阶段，可制造逻辑、NAND、DRAM 等产品，

其中 P4 工厂的第一阶段用于 NAND 生产、第二阶段用于逻辑代工、第三和第四阶段用于 DRAM 制造。

不过由于晶圆代工订单数量不足，而以 HBM 为代表的 DRAM 内存产品需求火爆，三星电子已于上半年调整了平泽 P4 工厂投资计划，先行建设 DRAM 内存产线，延后逻辑代工线建设。

三星电子目前在平泽 P4 工厂第一阶段的 NAND 产能为每月 10000 片晶圆，此前提出了到明年将月度晶圆投片量提升至 45000 片的目标。

但 V9 QLC NAND 并未及时得到量产许可，导致有内部人士认为应该将第一阶段的部分建设面积用于前景更明确的 DRAM 生产。