，将在明年正式发布，继续采用10nm工艺，但会全面升级架构，核心数也是大幅增加。

早先有消息称，Sapphire Rapids最多集成60个核心，内部分成四组，每组15个，类似AMD的小芯片设计，但只会开启56个，后来还有说法称，最多会做到80个核心。

现在，多次曝料Sapphire Rapids规格、实物的网友YuuKi_AnS首次公布了它的内核照，是四个小芯片之一，可以明显看到确实有15个核心，分成三排布局，但其中一个会被屏蔽掉。

另据透露，这颗样品还是ES0阶段的早期工程样品，频率仅有1.3GHz，同时集成了64GB HBM2E内存。

至于为何出厂就屏蔽4个核心，显然是出于保证良品率、供货量的考虑，后续后期成熟了不排除满血全开的可能。

看起来，10nm SuperFin增强版工艺，也还是不十分给力啊。

根据目前掌握的情报，Sapphire Rapids将采用10nm SuperFin加强版工艺制造，首发支持DDR5内存，最高八通道、4800MHz频率，同时首次集成HBM2高带宽内存，最多64GB，并支持下一代傲腾持久内存，随机访问带宽提升多达2.6倍。

技术方面，首发支持PCIe 5.0，最多80条通道，多路互连通道升级为四条UPI 2.0，每路带宽16GT/s，还支持CXL 1.1高速互连总线，也可以通过PCIe 5.0、CXL连接独立的FPGA加速器，指令集方面支持INT8、BFloat16精度的AMX、TMIUL。

功耗也相当惊人，TDP上限从270W提高到350W，据说还能解锁400W。