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SK 海力士：内存 EUV 光刻成本快速增长，考虑转向 4F2 或 3D DRAM

SK 海力士：内存 EUV 光刻成本快速增长，考虑转向 4F2 或 3D DRAM

8 月 13 日消息，据韩媒 THE ELEC 报道，SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在韩国水原当地时间 12 日举行的学术会议上表示，未来考虑转向 4F2 或 3D 结构的 DRAM ...

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