9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上 AI 推动了大容量存储产品需求,今年第二季度 NAND Flash(闪存)价格持续上涨。 ...
8 月 9 日消息,根据 SK 海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在 FMS 2024 峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的 USF 4.1 通用闪存。 ...
8 月 1 日消息,铠侠宣布其日本岩手县北上市工厂的 K2 制造大楼(Fab2)已于 7 月建设完工,计划 2025 年秋季投入运营。 ▲ 实地图。 ...
8 月 1 日消息,泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。 ...
8 月 1 日消息,韩媒 ETNews 报道称,SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发,计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备,2026 年二季度正式启动大规模生产 ...
7 月 31 日消息,韩媒 ZDNet Korea 报道称,三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版本尚未获得量产许可,对平泽 P4 工厂的产线建设规划造成了影响。 ...
7 月 30 日消息,美光当地时间今日宣布,其第九代(注:276 层)3D TLC NAND 闪存量产出货。 ...
5 月 22 日消息,美光在昨日的摩根大通投资者会议活动上表示,美光 2025 年 HBM 内存供应谈判基本完成。 美光高管代表宣称,其已与下游客户基本敲定了明年 HBM 订单的规模和价格。 ...
5 月 16 日消息,铠侠近日公布了截至 3 月 31 日的 2023 财年业绩。铠侠 2023 财年实现 10766 亿日元(备注:当前约 500.62 亿元人民币)销售额,同比下滑 16%。 ...
5 月 7 日消息,TrendForce 集邦咨询在今日的最新研报中称,AI 浪潮对 DRAM 内存和 NAND 闪存市场带来明显影响,推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。 ...
4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel ...
感谢网友 华南吴彦祖 的线索投递! 4 月 17 日消息,美光宣布其在业界率先推出 232 层 QLC NAND 闪存。 ...
4 月 12 日消息,据韩媒 Hankyung 报道,三星最快于本月晚些时候实现第 9 代 V-NAND 闪存的量产。 ...
4 月 9 日消息,据韩媒 NEWSIS 报道,SK 海力士计划振兴旗下子公司 Solidigm,但除一系列外部挑战外还面临内部信心不足的问题。 ...
11 月 29 日消息,虽然双十一多数终端产品销售平淡,但在三大原厂(三星、SK 海力士及美光)大幅减产、控制产出的前提下,存储芯片现货涨价趋势持续,其中 NAND 因亏损较严重,涨幅较为明显。 ...

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